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山崎 翔平

Shohei Yamazaki
電気通信大学大学院院 情報理工学研究科 基盤理工学専攻 博士後期課程 2年 (D2)
UEC次世代研究者挑戦的研究プログラム SPRING研究員

研究テーマ

「Si基板上孤立ダイヤモンド単結晶を用いた縦型パワーデバイスの作製及び評価」

ダイヤモンド パワーデバイス材料 ヘテロエピタキシャル成長 結晶欠陥評価 電気特性評価

研究概要

 私は Si 基板上ダイヤモンドに関する研究を行っています。ダイヤモンドは、優れた熱伝導性、高い絶縁破壊電界、高いキャリア移動度を併せ持つことから、 次世代パワーデバイス材料として注目されています。中でも、低コストかつ大面積での応用を実現するためには、Si 基板上での高品質なヘテロエピタキシャル成長技術の確立が不可欠です。 そこで私は、Si 基板上に高品質なダイヤモンド単結晶を作製することを目指し、結晶性向上に関する研究を行ってきました。現在は、不純物ドーピングによる導電性制御に取り組んでおり、 得られたSi基板上ダイヤモンド単結晶の電気的特性評価を通じて、デバイス応用に向けた性能向上を検討しています。将来的には、これらの知見を基盤として、Si 基板上ダイヤモンド単結晶 を用いた縦型ショットキーバリアダイオード(SBD)の作製を目指しています。

業績

【論文】(筆頭 1報)

  1. S. Yamazaki, D. Hagiwara, T. Tsukamoto, H. Isshiki
    「Electrical properties of heterogeneous integration system with boron-doped isolated single-crystal diamonds on Si substrates」
    Diamond & Related Materials 161, 113114, (2026) こちら .

【国際学会・シンポジウムにおける発表】(筆頭 2件, 共著 1件)

  1. S. Yamazaki, T. Tsukamoto, H. Isshiki
    「Electrical properties of heterogeneous integration system with boron-doped isolated single-crystal diamonds on Si substrates」
    New Diamond and Nano Carbons (NDNC2025), C-19, Oita, May 15 2025 (査読あり).
  2. S. Yamazaki, D. Hagiwara, T. Tsukamoto, H. Isshiki
    「Evaluation of NV0 defects in single-crystal diamond grown directly on Si substrate using Raman spectroscopy」
    European Materials Research Society (E-MRS), 07-1597, Strasbourg, May 29 2023 (査読あり).
  3. D. Hagiwara, S. Ariji, G. Morita, S. Yamazaki, T. Tsukamoto, H. Isshiki
    「Synthesis and evaluation of boron-doped isolated single crystal diamond on Si substrate」
    New Diamond and Nano Carbons (NDNC2022) , 7A-02, Kanazawa, June 7 2022 (査読あり).

【国内学会・シンポジウムにおける発表】(筆頭 5件, 共著 2件)

  1. 山崎 翔平, 塚本 貴広, 一色 秀夫
    「Si基板上ダイヤモンド単結晶の大面積化過程における結晶性評価」
    第39回 ダイヤモンドシンポジウム, P2-01, 東京理科大学 野田キャンパス, 2025年11月12日~14日.
  2. 山崎 翔平, 萩原 大智, 塚本 貴広, 一色 秀夫
    「Si基板上ボロンドープ孤立ダイヤモンド単結晶の結晶性及び電気特性評価」
    第38回ダイヤモンドシンポジウム, P1-05, 東京電機大学 東京千住キャンパス, 2024年11月20日~22日.
  3. 谷屋 勁治, 上原 陽空, 山崎 翔平, 塚本 貴広, 一色 秀夫
    「SiO2マスク・リフトオフ法によるSi(100)基板上ダイヤモンド高配向核の選択形成」
    第38回ダイヤモンドシンポジウム, P2-06, 東京電機大学 東京千住キャンパス, 2024年11月20日~22日.
  4. 上原 陽空, 谷屋 勁治, 山崎 翔平, 塚本 貴広, 一色 秀夫
    「Si基板上ダイヤモンドデバイス作製に向けたSiO2マスクを用いたダイヤモンド選択成長」
    第38回ダイヤモンドシンポジウム, P1-03, 東京電機大学 東京千住キャンパス, 2024年11月20日~22日.
  5. 山崎 翔平, 萩原 大智, 塚本 貴広, 一色 秀夫
    「Si基板上ボロンドープ孤立ダイヤモンド単結晶の作製と評価」
    第37回ダイヤモンドシンポジウム, P2-07, 東海大学 湘南キャンパス, 2023年11月14日~16日.
  6. 山崎 翔平, 山岸 綾人, 萩原 大智, 塚本 貴広, 一色 秀夫,
    「ラマン分光法によるSi基板上ダイヤモンド単結晶中のNV0欠陥評価」
    応用物理学会 第70回春季学術講演会, 16a-A408-1, 上智大学 四谷キャンパス, 2023年3月15日~18日.
  7. 山崎 翔平, 萩原 大智, 塚本 貴広, 一色 秀夫
    「ラマン分光法を用いたSi基板上孤立ダイヤモンド単結晶上の二次核評価」
    第83回秋季学術講演会 応用物理学会, 21a-P01-2, 東北大学 川内北キャンパス, 2022年9月20日~23日.

【展示会】(4件)

  1. SEMICON Japan 2025 東京ビッグサイト, 2025年12月17日~19日.
  2. SEMICON Japan 2024 東京ビッグサイト, 2024年12月11日~13日.
  3. SEMICON Japan 2023 東京ビッグサイト, 2023年12月13日~15日.
  4. SEMICON Japan 2021 東京ビッグサイト, 2021年12月15日~17日.

【その他】(2件)

  1. 次世代研究プログラムでの中国訪問研修 (2025年11月2日~7日)
  2. 次世代研究プログラムでのバンコク訪問 (2024年12月18日~22日)

略歴

2024年4月 電気通信大学大学院 情報理工学研究科 基盤理工学専攻 博士後期課程 進学
2024年3月 電気通信大学大学院 情報理工学研究科 基盤理工学専攻 博士前期課程 卒業
2022年4月 電気通信大学大学院 情報理工学研究科 基盤理工学専攻 博士前期課程 入学
2022年3月 電気通信大学 情報理工学域 電子工学プログラム 卒業
2018年4月 電気通信大学 情報理工学域 入学

連絡先

メール:s.yamazaki[at]uec.ac.jp [at]を@に変換してください 
所属住所:〒182-8585 東京都調布市調布ヶ丘 1-5-1 西1号館 209室