研究テーマ
「縦型パワーデバイス応用に向けたSi基板上孤立ダイヤモンド単結晶の作製及び評価」
ダイヤモンド
パワーデバイス材料
ヘテロエピタキシャル成長
結晶欠陥評価
電気特性評価
研究概要
私は Si 基板上ダイヤモンドに関する研究を行っています。ダイヤモンドは、優れた熱伝導性、絶縁耐性、高いキャリア移動度を併せ持つことから、
次世代パワーデバイス材料として注目されています。中でも、低コストかつ大面積での応用を実現するためには、Si 基板上での高品質なヘテロエピタキシャル
成長技術の確立が不可欠です。しかし、Si とダイヤモンドの格子定数差により界面には転位欠陥が形成されやすく、デバイス特性に悪影響を及ぼすという課題があります。
そこで私は、Si 基板上に高品質なダイヤモンド単結晶を作製することを目指し、異なる成長条件下で得られた試料の結晶性を評価してきました。現在は、不純物ドーピングによる
導電性制御に取り組み、得られた単結晶の電気的特性の評価を通じてデバイス応用に向けた性能向上を検討しています。将来的には、これらの知見を基盤として、
Si基板上ダイヤモンド単結晶を用いた縦型ショットキーバリアダイオード(SBD)の作製を目指しています。
業績
【論文】(筆頭 1報)
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S. Yamazaki, D. Hagiwara, T. Tsukamoto, H. Isshiki
「Electrical properties of heterogeneous integration system with boron-doped
isolated single-crystal diamonds on Si substrates」
Diamond & Related Materials 161, 113114, (2026)
DOI
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【国際学会発表】(筆頭 2件, 共著 1件)
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S. Yamazaki, T. Tsukamoto, H. Isshiki
「Electrical properties of heterogeneous integration system with boron-doped
isolated single-crystal diamonds on Si substrates」
C-19, NDNC2025 18th International Conference on New Diamond and Nano Carbons, Oita, May 15 2025.(査読あり).
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S. Yamazaki, D. Hagiwara, T. Tsukamoto, H. Isshiki
「Evaluation of NV0 defects in single-crystal diamond grown directly on Si substrate
using Raman spectroscopy」
07-1597, E-MRS, Strasbourg, France, May 29 2023.(査読あり).
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D. Hagiwara, S. Ariji, G. Morita, S. Yamazaki, T. Tsukamoto, H. Isshiki
「Synthesis and evaluation of boron-doped isolated single crystal diamond on Si substrate」
7A-02, NDNC, Kanazawa, June 7 2022.(査読あり).
【国内学会発表】(筆頭 5件, 共著 2件)