YAMAZAKI SHOUHEI　山崎 翔平
D3　 　博士3年
UEC次世代研究者挑戦的研究プログラム　次世代研究員
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AKIMOTO TETSUO　秋本 哲男
M2　 　修士2年
研究テーマ：　ダイヤモンドウエハ技術（初期核形成技術）
表彰実績：　[1] 令和6年度電子工学プログラム発表会　優秀発表賞
　　　　　　[2] 令和6年度目黒会賞
　　　　　　[3] 令和6年度卒業論文発表会　優秀発表賞
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2024).
　　　　　　[2] SEMICON JAPAN (2025).

OKUMURA NAOTO　奥村 直大
M2　 　修士2年
研究テーマ：　高配向ダイヤモンド形成技術（核発生密度制御）
表彰実績：　[1] 令和6年度卒業論文発表会　優秀発表賞
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2024).
　　　　　　[2] "Si基板上孤立単結晶ダイヤモンドの選択的形成
　　　　　　　　におけるダイヤモンド核密度制御",
　　　　　　　　第39回ダイヤモンドシンポジウム (2025).
　　　　　　[3] SEMICON JAPAN (2025).

TAHIRA RYOTARO　田平 稜太朗
M2　 　修士2年
研究テーマ：　ナノダイヤモンド形成技術（構造解析と結晶性評価）
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2024).
　　　　　　[2] SEMICON JAPAN (2025).

TSUGA SHOTA　都賀 翔大
M2　 　修士2年
研究テーマ：　酸化膜形成技術
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).

NAKAYAMA RYO　中山 凌
M2　 　修士2年
研究テーマ：　ダイヤモンドSiV（成長条件依存性）
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).

YABE JOELHIROKI　矢部 ジョエル寛樹
M2　 　修士2年
研究テーマ：　ダイヤモンドSnVカラーセンター形成技術
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).

ABE SHOUTA　阿部 祥大
M1　 　修士1年

INOUE SEIYA　井上 聖矢
M1　 　修士1年
研究テーマ：　酸化膜形成技術

SAKAMOTO YUKI　坂本 悠樹
M1　 　修士1年
研究テーマ：　酸化膜形成技術

HIROSE SHION　廣瀬 汐音
M1　 　修士1年
研究テーマ：　GeSnフォトディテクタのTCAD設計（表面再結合評価）
表彰実績：　[1] 令和7年度電子工学プログラム発表会　優秀発表賞
　　　　　　[2] 令和7年度卒業論文発表会　優秀発表賞
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).
　　　　　　[2] "高感度・高速動作に向けたSWIR波長帯における
　　　　　　　　GeSnフォトディテクタの構造最適化",
　　　　　　　　第87回応用物理学会秋季学術講演会 (2026).

MORIKAWA TAISEI　森川 大聖
M1　 　修士1年
研究テーマ：　光触媒

YOKOYAMA TAIKI　横山 大騎
M1　 　修士1年
研究テーマ：　ナノダイヤモンド形成技術（粒径評価及び制御）
表彰実績：　[1] 令和7年度卒業論文発表会　優秀発表賞
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).

KUMAKI YUTO　熊木 勇人
B4　 　学域4年
研究テーマ：　ナノダイヤモンド形成技術（発光特性評価）

KUROSAKI KENSHO　黒﨑 健翔
B4　 　学域4年
研究テーマ：　ダイヤモンドウエハ技術（成長条件最適化）
表彰実績：　[1] 令和8年度電子工学プログラム発表会　優秀発表賞

SATO SOTA　佐藤 聡汰
B4　 　学域4年

TAKAJI KEISUKE　高司 圭祐
B4　 　学域4年
研究テーマ：　高配向ダイヤモンド形成技術（成長条件最適化）

YU YUE　余 岳
B4　 　学域4年
研究テーマ：　ダイヤモンド結晶成長技術の開発
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).