YAMAZAKI SHOUHEI　山崎 翔平
D3　 　博士3年
UEC次世代研究者挑戦的研究プログラム　次世代研究員
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AKIMOTO TETSUO　秋本 哲男
M2　 　修士2年
研究テーマ：　ダイヤモンドウエハ技術
表彰実績：　[1] 令和6年度電子工学プログラム発表会　優秀発表賞
　　　　　　[2] 令和6年度目黒会賞
　　　　　　[3] 令和6年度卒業論文発表会　優秀発表賞
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2024).
　　　　　　[2] SEMICON JAPAN (2025).

OKUMURA NAOTO　奥村 直大
M2　 　修士2年
研究テーマ：　高配向ダイヤモンド形成技術
表彰実績：　[1] 令和6年度卒業論文発表会　優秀発表賞
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2024).
　　　　　　[2] "Si基板上孤立単結晶ダイヤモンドの選択的形成
　　　　　　　　におけるダイヤモンド核密度制御",
　　　　　　　　第39回ダイヤモンドシンポジウム (2025).
　　　　　　[3] SEMICON JAPAN (2025).

TAHIRA RYOTARO　田平 稜太朗
M2　 　修士2年
研究テーマ：　ナノダイヤモンドの形成技術の開発
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2024).
　　　　　　[2] SEMICON JAPAN (2025).

TSUGA SHOTA　都賀 翔大
M2　 　修士2年
研究テーマ：　結晶性酸化膜とMOSキャパシタ
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).

NAKAYAMA RYO　中山 凌
M2　 　修士2年
研究テーマ：　結晶性酸化膜とMOSキャパシタ
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).

YABE JOELHIROKI　矢部 ジョエル寛樹
M2　 　修士2年
研究テーマ：　ダイヤモンドSnVカラーセンターの形成技術の開発
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).

ABE SHOUTA　阿部 祥大
M1　 　修士1年

INOUE SEIYA　井上 聖矢
M1　 　修士1年

SAKAMOTO YUKI　坂本 悠樹
M1　 　修士1年

HIROSE SHION　廣瀬 汐音
M1　 　修士1年
研究テーマ：　GeSnフォトディテクタのTCAD設計
表彰実績：　[1] 令和7年度電子工学プログラム発表会　優秀発表賞
　　　　　　[2] 令和7年度卒業論文発表会　優秀発表賞
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).

MORIKAWA TAISEI　森川 大聖
M1　 　修士1年

YOKOYAMA TAIKI　横山 大騎
M1　 　修士1年
研究テーマ：　ナノダイヤモンドの形成技術の開発
表彰実績：　[1] 令和7年度卒業論文発表会　優秀発表賞
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).

KUMAKI YUTO　熊木 勇人
B4　 　学域4年

KUROSAKI KENSHO　黒崎 健翔
B4　 　学域4年

SATO SOTA　佐藤 聡汰
B4　 　学域4年

TAKAJI KEISUKE　高司 圭祐
B4　 　学域4年

YU YUE　余 岳
B4　 　学域4年
研究テーマ：　ダイヤモンド結晶成長技術の開発
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).