SHOUHEI YAMAZAKI　山崎 翔平
D2　 　博士2年
UEC次世代研究者挑戦的研究プログラム　次世代研究員
詳細は 　　こちら

TAKUO SHIRAI　白井 拓男
M2　 　修士2年
研究テーマ：　ダイヤモンドSiVカラーセンターの形成技術の開発
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2024).
　　　　　　[2] SEMICON JAPAN (2025).

YUSAKU NAGAI　長井 佑朔
M2　 　修士2年
研究テーマ：　ダイヤモンドパワーデバイスのTCAD設計
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).

HAYATOSHI NOZATO　野里 隼聖
M2　 　修士2年
研究テーマ：　結晶性酸化膜とMOSキャパシタ
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2024).
　　　　　　[2] SEMICON JAPAN (2025).

SHOUNOSUKE HIROKAWA　廣川 昌之介
M2　 　修士2年
研究テーマ：　GeSnフォトディテクタのTCAD設計
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2024).
　　　　　　[2] SEMICON JAPAN (2025).

TOMOKI YAMAGUCHI　山口 睦紀
M2　 　修士2年
研究テーマ：　ダイヤモンドSnVカラーセンターの形成技術の開発
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2023).
　　　　　　[2] SEMICON JAPAN (2024).
　　　　　　[3] SEMICON JAPAN (2025).

TETSUO AKIMOTO　秋本 哲男
M1　 　修士1年
研究テーマ：　ダイヤモンドウエハ技術
表彰実績：　[1] 令和6年度電子工学プログラム発表会　優秀発表賞
　　　　　　[2] 令和6年度目黒会賞
　　　　　　[3] 令和6年度卒業論文発表会　優秀発表賞
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2024).
　　　　　　[2] SEMICON JAPAN (2025).

NAOTO OKUMURA　奥村 直大
M1　 　修士1年
研究テーマ：　高配向ダイヤモンド形成技術
表彰実績：　[1] 令和6年度卒業論文発表会　優秀発表賞
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2024).
　　　　　　[2] "Si基板上孤立単結晶ダイヤモンドの選択的形成
　　　　　　　　におけるダイヤモンド核密度制御",
　　　　　　　　第39回ダイヤモンドシンポジウム (2025).
　　　　　　[3] SEMICON JAPAN (2025).

RYOTARO TAHIRA　田平 稜太朗
M1　 　修士1年
研究テーマ：　ナノダイヤモンドの形成技術の開発
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2024).
　　　　　　[2] SEMICON JAPAN (2025).

SHOTA TSUGA　都賀 翔大
M1　 　修士1年
研究テーマ：　結晶性酸化膜とMOSキャパシタ
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).

RYO NAKAYAMA　中山 凌
M1　 　修士1年
研究テーマ：　結晶性酸化膜とMOSキャパシタ
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).

JOELHIROKI YABE　矢部 ジョエル寛樹
M1　 　修士1年
研究テーマ：　ダイヤモンドSnVカラーセンターの形成技術の開発
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).

SHION HIROSE　廣瀬 汐音
B4　 　学域4年
研究テーマ：　GeSnフォトディテクタのTCAD設計
表彰実績：　[1] 令和7年度電子工学プログラム発表会　優秀発表賞
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).

YUE YU　余 岳
B4　 　学域4年
研究テーマ：　ダイヤモンド結晶成長技術の開発
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).

TAIKI YOKOYAMA　横山 大騎
B4　 　学域4年
研究テーマ：　ナノダイヤモンドの形成技術の開発
発表実績：　[1] SEMICON JAPAN (2025).