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TAKAHIRO TSUKAMOTO 塚本 貴広

Associate Professor   准教授
Ph.D.         博士(工学)

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Student

SHOUHEI YAMAZAKI 山崎 翔平
D2   博士2年
UEC次世代研究者挑戦的研究プログラム 次世代研究員
研究テーマ: ダイヤモンドパワーデバイス試作に向けた要素技術の開発
発表実績: [1] SEMICON JAPAN (2021).
      [2] "ラマン分光法を用いたSi基板上孤立
        ダイヤモンド単結晶上の二次核評価",
        第83回応用物理学会秋季学術講演会 (2022).
      [3] "ラマン分光法によるSi基板上ダイヤモンド
        単結晶中のNV0欠陥評価",
        第70回応用物理学会春季学術講演会 (2023).
      [4] "Evaluation of NV0 defects in single-crystal
        diamond grown directly on Si substrate using
        Raman spectroscopy",
        E-MRS 2023 spring meeting (2023).
      [5] "Si基板上ボロンドープ孤立ダイヤモンド単結晶
        の作製と評価",
        第37回ダイヤモンドシンポジウム (2023).
      [6] SEMICON JAPAN (2023).
      [7] "Si基板上ボロンドープ孤立ダイヤモンド単結晶の
        結晶性及び電気特性評価",
        第38回ダイヤモンドシンポジウム (2024).
      [8] SEMICON JAPAN (2024).
      [9] "Electrical properties of heterogeneous
        integration system with boron-doped isolated         single-crystal diamonds on Si substrates,
        NDNC 2025 (2025).
      [10] "Si基板上ダイヤモンド単結晶の大面積化過程
        における結晶性評価",
        第39回ダイヤモンドシンポジウム (2025).

TAKUO SHIRAI 白井 拓男
M2   修士2年
研究テーマ: ダイヤモンドSiVカラーセンターの形成技術の開発
発表実績: [1] SEMICON JAPAN (2024).

YUSAKU NAGAI 長井 佑朔
M2   修士2年
研究テーマ: ダイヤモンドパワーデバイスのTCAD設計

HAYATOSHI NOZATO 野里 隼聖
M2   修士2年
研究テーマ: 結晶性酸化膜とMOSキャパシタ
発表実績: [1] SEMICON JAPAN (2024).

SHOUNOSUKE HIROKAWA 廣川 昌之介
M2   修士2年
研究テーマ: GeSnフォトディテクタのTCAD設計
発表実績: [1] SEMICON JAPAN (2024).

TOMOKI YAMAGUCHI 山口 睦紀
M2   修士2年
研究テーマ: ダイヤモンドSnVカラーセンターの形成技術の開発
発表実績: [1] SEMICON JAPAN (2023).
      [2] SEMICON JAPAN (2024).

TETSUO AKIMOTO 秋本 哲男
M1   修士1年
研究テーマ: ダイヤモンドウエハ技術
表彰実績: [1] 令和6年度電子工学プログラム発表会 優秀発表賞
      [2] 令和6年度目黒会賞
      [3] 令和6年度卒業論文発表会 優秀発表賞
発表実績: [1] SEMICON JAPAN (2024).

NAOTO OKUMURA 奥村 直大
M1   修士1年
研究テーマ: 高配向ダイヤモンド形成技術
表彰実績: [1] 令和6年度卒業論文発表会 優秀発表賞
発表実績: [1] SEMICON JAPAN (2024).
      [2] "Si基板上孤立単結晶ダイヤモンドの選択的形成
        におけるダイヤモンド核密度制御",
        第39回ダイヤモンドシンポジウム (2025).

RYOTARO TAHIRA 田平 稜太朗
M1   修士1年
研究テーマ: ナノダイヤモンドの形成技術の開発
発表実績: [1] SEMICON JAPAN (2024).

SHOTA TSUGA 都賀 翔大
M1   修士1年
研究テーマ: 結晶性酸化膜とMOSキャパシタ

RYO NAKAYAMA 中山 凌
M1   修士1年
研究テーマ: 結晶性酸化膜とMOSキャパシタ

JOELHIROKI YABE 矢部 ジョエル寛樹
M1   修士1年
研究テーマ: ダイヤモンドSnVカラーセンターの形成技術の開発

SHION HIROSE 廣瀬 汐音
B4   学域4年
研究テーマ: GeSnフォトディテクタのTCAD設計
表彰実績: [1] 令和7年度電子工学プログラム発表会 優秀発表賞

YUE YU 余 岳
B4   学域4年
研究テーマ: ダイヤモンド結晶成長技術の開発

TAIKI YOKOYAMA 横山 大騎
B4   学域4年
研究テーマ: ナノダイヤモンドの形成技術の開発


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