１．高周波素子の開発
　情報化社会の促進に伴い、ひっ迫してきた周波数資源や無線通信における大容量伝送のため、ミリ波（30-300GHz）やテラヘルツ波（300GHz-10THz）の高い周波数帯における周波数資源の開拓が求められています。高い周波数への移行に向けて、高周波デバイスの開発が必要です。本研究室では、低雑音な高電子移動度トランジスタ（HEMT：High Electron Mobility Transistor）や高周波発振が期待される共鳴トンネルダイオード（RTD：Resonant Tunneling Diode）の開発に向けて、IV族半導体材料の結晶成長からデバイスの試作に取り組んでいます。

２．IV族発光材料の開発
　消費エネルギーの増大や化石燃料の枯渇により、再生エネルギー技術の開発が求められていますが、それと同時に、エネルギー消費を抑制した環境軽負荷な省エネルギー社会の構築が求められています。さらに、自動走行・ロボット・IoT産業の発展が期待され、エレクトロニクス製品の需要は今後も増えていき、その消費エネルギーの増大が懸念されており、エレクトロニクス製品における省エネルギー技術の開発は非常に重要な課題です。省エネルギー化に向けては光回路の導入が有効であり、電気配線を光配線に置き換えることでエネルギー消費を抑制できます。本研究室では、IV族半導体において直接遷移するGeSn及びGeSiSnに着目し、IV族発光材料の開発を行っています。

３．ダイヤモンド結晶成長技術の開発
　Coming Soon...

・スパッタ成膜装置　Sputtering systems
・高速熱処理装置　RTA
・原子間力顕微鏡　AFM